三星存储芯片项目落户陕西
瑞丰德永 http://www.rf.tm 西安4月12日电 韩国三星电子一期投资70亿美元的存储芯片项目10日正式落户陕西省西安市高新区。作为韩国三星电子海外投资历史上投资规模最大的项目和第二次在海外建立的半导体生产工厂，此次在西安投资的存储芯片项目将采用世界最领先的技术，进行10纳米级的NAND Flash（闪存）量产。预计一期投资70亿美元，2013年底投产后，每月可生产10万片。据介绍，随着三星项目的落户，将有160余家配套企业相继落户西安市高新区，将直接或间接增加万余就业岗位。
